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IXFT70N30Q3

IXFT70N30Q3

Nur als Referenz

Teilenummer IXFT70N30Q3
PNEDA Teilenummer IXFT70N30Q3
Beschreibung MOSFET N-CH 300V 70A TO-268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.568
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IXFT70N30Q3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXFT70N30Q3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXFT70N30Q3, IXFT70N30Q3 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 127,74 KB)
PDFIXFT70N30Q3 Datenblatt Cover
IXFT70N30Q3 Datenblatt Seite 2 IXFT70N30Q3 Datenblatt Seite 3 IXFT70N30Q3 Datenblatt Seite 4 IXFT70N30Q3 Datenblatt Seite 5

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IXFT70N30Q3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)300V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs54mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id6.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs98nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4735pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)830W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-268
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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Torex Semiconductor Ltd

Hersteller

Torex Semiconductor Ltd

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IRFU320PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-251AA

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

APT60N60SCSG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

FET-Funktion

Super Junction

Verlustleistung (max.)

431W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D3Pak

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQP7N20

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

690mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

63W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

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Serie

-

FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

820mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

495mOhm @ 800mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

490mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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