IXFX120N20
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXFX120N20 |
| PNEDA Teilenummer | IXFX120N20 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.496 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFX120N20 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFX120N20 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXFX120N20 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 120A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9100pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 560W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8400pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 520W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227B Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 17450pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 349W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
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