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IXGA120N30TC

IXGA120N30TC

Nur als Referenz

Teilenummer IXGA120N30TC
PNEDA Teilenummer IXGA120N30TC
Beschreibung IGBT 300V 120A 250W TO263AA
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.578
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IXGA120N30TC Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGA120N30TC
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGA120N30TC, IXGA120N30TC Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 34,89 KB)
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IXGA120N30TC Datenblatt Seite 2

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IXGA120N30TC Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)300V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)120A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 60A
Leistung - max250W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge134nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263 (IXGA)

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

151µJ (on), 293µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

149nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/146ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-247

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

99A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 70A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

8.8mJ (on), 9.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

380nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/250ns

Testbedingung

960V, 70A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-274AA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

28A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 7A

Leistung - max

24W

Schaltenergie

99µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/160ns

Testbedingung

400V, 7A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

136ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 5V, 14A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

22nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

900ns/4.4µs

Testbedingung

300V, 46Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

370A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

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Gate Charge

470nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/275ns

Testbedingung

600V, 100A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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