IXGA12N120A3
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| Teilenummer | IXGA12N120A3 |
| PNEDA Teilenummer | IXGA12N120A3 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 22A 100W TO263 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.466 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGA12N120A3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGA12N120A3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGA12N120A3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 22A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 60A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 12A |
| Leistung - max | 100W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 20.4nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 (IXGA) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 40A Leistung - max 500W Schaltenergie 2.18mJ (on), 1.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 190nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/280ns Testbedingung 600V, 40A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 350ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket PG-TO247-4 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 3A Leistung - max 45W Schaltenergie 400µJ (on), 300µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 600V, 3A, 330Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak) |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 170A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 45A Leistung - max 625W Schaltenergie 900µJ (on), 904µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 185nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/102ns Testbedingung 600V, 45A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 140A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A Leistung - max 455W Schaltenergie 2.5mJ (on), 2.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/200ns Testbedingung 400V, 75A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 170ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
