Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXGA8N100

IXGA8N100

Nur als Referenz

Teilenummer IXGA8N100
PNEDA Teilenummer IXGA8N100
Beschreibung IGBT 1000V 16A 54W TO263
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.446
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGA8N100 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGA8N100
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGA8N100, IXGA8N100 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 554,42 KB)
PDFIXGP8N100 Datenblatt Cover
IXGP8N100 Datenblatt Seite 2 IXGP8N100 Datenblatt Seite 3 IXGP8N100 Datenblatt Seite 4

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXGA8N100 Datasheet
  • where to find IXGA8N100
  • IXYS

  • IXYS IXGA8N100
  • IXGA8N100 PDF Datasheet
  • IXGA8N100 Stock

  • IXGA8N100 Pinout
  • Datasheet IXGA8N100
  • IXGA8N100 Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXGA8N100 Price
  • IXGA8N100 Distributor

IXGA8N100 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)32A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 8A
Leistung - max54W
Schaltenergie2.3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge26.5nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.15ns/600ns
Testbedingung800V, 8A, 120Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263 (IXGA)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

AOK30B60D1

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 26A

Leistung - max

208W

Schaltenergie

1.1mJ (on), 240µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/58ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

120ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

APT33GF120B2RDQ2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 25A

Leistung - max

357W

Schaltenergie

1.315mJ (on), 1.515mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/185ns

Testbedingung

800V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

RJH60F5DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 40A

Leistung - max

260.4W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

53ns/105ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247A

IKB03N120H2ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9.6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

9.9A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

Leistung - max

62.5W

Schaltenergie

290µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

22nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9.2ns/281ns

Testbedingung

800V, 3A, 82Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3-2

IRG4PSC71KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

790µJ (on), 1.98mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

340nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/54ns

Testbedingung

480V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-274AA

Lieferantengerätepaket

SUPER-247™ (TO-274AA)

Kürzlich verkauft

AP1533SG-13

AP1533SG-13

Diodes Incorporated

IC REG BUCK ADJUSTABLE 1.8A 8SOP

MURS160T3G

MURS160T3G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 2A SMB

EX-11EB

EX-11EB

Panasonic Industrial Automation Sales

SENSOR THROUGH-BEAM 15CM NPN

MCP23017-E/SP

MCP23017-E/SP

Microchip Technology

IC I/O EXPANDER I2C 16B 28SDIP

ADUM7641CRQZ

ADUM7641CRQZ

Analog Devices

DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 20QSOP

MBT3906DW1T1G

MBT3906DW1T1G

ON Semiconductor

TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88

ADP171AUJZ-R7

ADP171AUJZ-R7

Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 300MA TSOT5

ADA4870ARRZ

ADA4870ARRZ

Analog Devices

IC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 20PSOP3

LTM8073IY#PBF

LTM8073IY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-15V

AS5047P-ATSM

AS5047P-ATSM

ams

ROTARY ENCODER MAGNETIC PROG

MUR160

MUR160

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

STM809MWX6F

STM809MWX6F

STMicroelectronics

IC MPU RESET CIRC 4.38V SOT23