Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXGH25N100U1

IXGH25N100U1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH25N100U1
PNEDA Teilenummer IXGH25N100U1
Beschreibung IGBT 1000V 50A 200W TO247AD
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.966
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 9 - Jul 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGH25N100U1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH25N100U1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH25N100U1, IXGH25N100U1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 315,17 KB)
PDFIXGH25N100U1 Datenblatt Cover
IXGH25N100U1 Datenblatt Seite 2 IXGH25N100U1 Datenblatt Seite 3 IXGH25N100U1 Datenblatt Seite 4 IXGH25N100U1 Datenblatt Seite 5 IXGH25N100U1 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXGH25N100U1 Datasheet
  • where to find IXGH25N100U1
  • IXYS

  • IXYS IXGH25N100U1
  • IXGH25N100U1 PDF Datasheet
  • IXGH25N100U1 Stock

  • IXGH25N100U1 Pinout
  • Datasheet IXGH25N100U1
  • IXGH25N100U1 Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXGH25N100U1 Price
  • IXGH25N100U1 Distributor

IXGH25N100U1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 25A
Leistung - max200W
Schaltenergie5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge130nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.100ns/500ns
Testbedingung800V, 25A, 33Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRG4BC30W-STRL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

130µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/99ns

Testbedingung

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

DGTD65T50S1PT

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

770µJ (on), 550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

287nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

58ns/328ns

Testbedingung

400V, 50A, 7.9Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IXBH20N300

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.35µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXBH)

IXBP5N160G

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5.7A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

7.2V @ 15V, 3A

Leistung - max

68W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

26nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

960V, 3A, 47Ohm, 10V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Kürzlich verkauft

PEX8734-AB80BI G

PEX8734-AB80BI G

Broadcom

PEX8734-AB80BI G

MBRS360T3G

MBRS360T3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC

C8051F120-GQR

C8051F120-GQR

Silicon Labs

IC MCU 8BIT 128KB FLASH 100TQFP

RB481KTL

RB481KTL

Rohm Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V UMD4

DS2482S-100+T&R

DS2482S-100+T&R

Maxim Integrated

IC I2C TO 1WIRE BRIDGE 8SOIC

KSZ8081RNBCA-TR

KSZ8081RNBCA-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 32QFN

HSMS-A100-J00J1

HSMS-A100-J00J1

Broadcom

LED RED CLEAR 2PLCC SMD

SMF5.0A

SMF5.0A

Littelfuse

TVS DIODE 5V 9.2V SOD123F

LT1084IT#PBF

LT1084IT#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 5A TO220-3

AQY221R2VY

AQY221R2VY

Panasonic Electric Works

SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-40V

AT32UC3C1256C-AUT

AT32UC3C1256C-AUT

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100TQFP

HX1188FNLT

HX1188FNLT

Pulse Electronics Network

XFRMR MAGNETIC 1PORT 1:1 10/100