IXGH30N60B2
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| Teilenummer | IXGH30N60B2 |
| PNEDA Teilenummer | IXGH30N60B2 |
| Beschreibung | IGBT 600V 70A 190W TO247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.922 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGH30N60B2 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGH30N60B2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGH30N60B2 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFAST™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 24A |
| Leistung - max | 190W |
| Schaltenergie | 320µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 66nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 13ns/110ns |
| Testbedingung | 400V, 24A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXGH) |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 44A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 32A Leistung - max 200W Schaltenergie 10.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 146nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/270ns Testbedingung 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-5 (3 Leads) Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 60A Leistung - max 500W Schaltenergie 2.6mJ (on), 1.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 106nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/166ns Testbedingung 400V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 346ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie 160µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/78ns Testbedingung 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 170A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 340A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 85A Leistung - max 962W Schaltenergie 6mJ (on), 3.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 660nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 43ns/300ns Testbedingung 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket T-MAX™ |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 60A Leistung - max 180W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 260nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264-3 |
