IXGH32N60BD1
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| Teilenummer | IXGH32N60BD1 |
| PNEDA Teilenummer | IXGH32N60BD1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 60A 200W TO247AD |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.896 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGH32N60BD1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGH32N60BD1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGH32N60BD1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFAST™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 32A |
| Leistung - max | 200W |
| Schaltenergie | 600µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 110nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 25ns/100ns |
| Testbedingung | 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXGH) |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 200W Schaltenergie 220µJ (on), 330µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/100ns Testbedingung 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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