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IXGH42N30C3

IXGH42N30C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH42N30C3
PNEDA Teilenummer IXGH42N30C3
Beschreibung IGBT 300V 223W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.258
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGH42N30C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH42N30C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH42N30C3, IXGH42N30C3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 175,82 KB)
PDFIXGP42N30C3 Datenblatt Cover
IXGP42N30C3 Datenblatt Seite 2 IXGP42N30C3 Datenblatt Seite 3 IXGP42N30C3 Datenblatt Seite 4 IXGP42N30C3 Datenblatt Seite 5 IXGP42N30C3 Datenblatt Seite 6

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IXGH42N30C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)300V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)250A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 42A
Leistung - max223W
Schaltenergie120µJ (on), 150µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge76nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.21ns/113ns
Testbedingung200V, 21A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

349W

Schaltenergie

820µJ (on), 260µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

119nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/92ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-3PN

Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

47A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 32A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

2.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

89nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/260ns

Testbedingung

720V, 32A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

190ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

96A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Leistung - max

254W

Schaltenergie

1.18mJ (on), 960µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

141nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/180ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

32A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

340µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

54ns/180ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

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