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IXGH48N60B3D1

IXGH48N60B3D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH48N60B3D1
PNEDA Teilenummer IXGH48N60B3D1
Beschreibung IGBT 600V 300W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.852
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGH48N60B3D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH48N60B3D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH48N60B3D1, IXGH48N60B3D1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 202,88 KB)
PDFIXGH48N60B3D1 Datenblatt Cover
IXGH48N60B3D1 Datenblatt Seite 2 IXGH48N60B3D1 Datenblatt Seite 3 IXGH48N60B3D1 Datenblatt Seite 4 IXGH48N60B3D1 Datenblatt Seite 5 IXGH48N60B3D1 Datenblatt Seite 6 IXGH48N60B3D1 Datenblatt Seite 7

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IXGH48N60B3D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)280A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 32A
Leistung - max300W
Schaltenergie840µJ (on), 660µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge115nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.22ns/130ns
Testbedingung480V, 30A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 3A

Leistung - max

50W

Schaltenergie

32µJ (on), 24µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6.7ns/46ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

TIG067SS-TL-2W

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5V @ 4V, 150A

Leistung - max

1.2W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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8-SOIC

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

145A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

440A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 70A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

1.9mJ (on), 2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

143nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/120ns

Testbedingung

360V, 70A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

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