IXGH90N60B3
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| Teilenummer | IXGH90N60B3 |
| PNEDA Teilenummer | IXGH90N60B3 |
| Beschreibung | IGBT 600V 75A 660W TO247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.434 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGH90N60B3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGH90N60B3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGH90N60B3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 500A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 90A |
| Leistung - max | 660W |
| Schaltenergie | 1.32mJ (on), 1.37mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 172nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 31ns/150ns |
| Testbedingung | 480V, 60A, 2Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXGH) |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.4V @ 15V, 30A Leistung - max 380W Schaltenergie 1.8mJ (on), 550µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 142nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/130ns Testbedingung 600V, 30A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller Global Power Technologies Group Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 40A Leistung - max 480W Schaltenergie 5.3mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 480nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 55ns/200ns Testbedingung 600V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 200ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A Leistung - max 250W Schaltenergie 700µJ (on), 280µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 83ns/170ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 72ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 5A Leistung - max 38W Schaltenergie 140µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/87ns Testbedingung 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 28ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 62A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 15A Leistung - max 139W Schaltenergie 570µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 32ns/234ns Testbedingung 400V, 15A, 21Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 279ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
