IXGP24N60C4
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| Teilenummer | IXGP24N60C4 |
| PNEDA Teilenummer | IXGP24N60C4 |
| Beschreibung | IGBT 600V 56A 190W TO220 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.742 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGP24N60C4 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGP24N60C4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGP24N60C4 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 56A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 130A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 24A |
| Leistung - max | 190W |
| Schaltenergie | 400µJ (on), 300µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 64nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 21ns/143ns |
| Testbedingung | 360V, 24A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 140A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 75A Leistung - max 483W Schaltenergie 3.1mJ (on), 2.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 85ns/222ns Testbedingung 400V, 75A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A Leistung - max 180W Schaltenergie 800µJ (on), 900µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/170ns Testbedingung 600V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 64A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 40A Leistung - max 500W Schaltenergie 2.3mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/110ns Testbedingung 600V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 112ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 31A Leistung - max 160W Schaltenergie 450µJ (on), 6.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/650ns Testbedingung 480V, 31A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 30A Leistung - max 463W Schaltenergie 280µJ (on), 240µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/150ns Testbedingung 390V, 30A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
