Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXGR120N60B

IXGR120N60B

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR120N60B
PNEDA Teilenummer IXGR120N60B
Beschreibung IGBT 600V 156A 520W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.894
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 3 - Jun 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGR120N60B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR120N60B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR120N60B, IXGR120N60B Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 560,73 KB)
PDFIXGR120N60B Datenblatt Cover
IXGR120N60B Datenblatt Seite 2 IXGR120N60B Datenblatt Seite 3 IXGR120N60B Datenblatt Seite 4 IXGR120N60B Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXGR120N60B Datasheet
  • where to find IXGR120N60B
  • IXYS

  • IXYS IXGR120N60B
  • IXGR120N60B PDF Datasheet
  • IXGR120N60B Stock

  • IXGR120N60B Pinout
  • Datasheet IXGR120N60B
  • IXGR120N60B Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXGR120N60B Price
  • IXGR120N60B Distributor

IXGR120N60B Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)156A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 100A
Leistung - max520W
Schaltenergie2.4mJ (on), 5.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge350nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.60ns/200ns
Testbedingung480V, 100A, 2.4Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRG4BC20SDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

19A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

38A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 10A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

320µJ (on), 2.58mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

62ns/690ns

Testbedingung

480V, 10A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

DGTD65T15H2TF

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Leistung - max

48W

Schaltenergie

270µJ (on), 86µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

61nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/128ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AB

RJP60D0DPK-00#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 22A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

45nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/90ns

Testbedingung

300V, 22A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

NGTB25N120FL2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

385W

Schaltenergie

1.95mJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

178nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

87ns/179ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

154ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

HGTG11N120CND

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

43A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 11A

Leistung - max

298W

Schaltenergie

950µJ (on), 1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/180ns

Testbedingung

960V, 11A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Kürzlich verkauft

MCP2551-I/SN

MCP2551-I/SN

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

0501010.WR

0501010.WR

Littelfuse

FUSE BOARD MOUNT 10A 32VDC 1206

AD822AN

AD822AN

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DIP

R5F1076CGSP#X0

R5F1076CGSP#X0

Renesas Electronics America

IC MCU 16BIT 32KB FLASH 20LSSOP

ISL68137IRAZ-T7A

ISL68137IRAZ-T7A

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CTRLR PMBUS 48QFN

J201

J201

ON Semiconductor

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

VN10LP

VN10LP

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3

ACPL-M43T-500E

ACPL-M43T-500E

Broadcom

OPTOISOLATOR 4KV TRANSISTOR 5-SO

MMBT2907

MMBT2907

ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.8A SOT-23

FLZ6V8A

FLZ6V8A

ON Semiconductor

DIODE ZENER 6.5V 500MW SOD80

UPD70F3747GB-GAH-AX

UPD70F3747GB-GAH-AX

Renesas Electronics America

IC MCU 32BIT 128KB FLASH 64LQFP

1N4148WS

1N4148WS

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F