IXGR50N160H1
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| Teilenummer | IXGR50N160H1 |
| PNEDA Teilenummer | IXGR50N160H1 |
| Beschreibung | IGBT 1600V 75A 240W ISOPLUS247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.254 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGR50N160H1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGR50N160H1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGR50N160H1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 330A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 240W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 137nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 230ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | ISOPLUS247™ |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS247™ |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A Leistung - max 312W Schaltenergie 4.37mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 94nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/525ns Testbedingung 600V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 58A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A Leistung - max 197W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 58nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/105ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 40A Leistung - max 180W Schaltenergie 409µJ (on), 838µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 73nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/144ns Testbedingung 240V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 122ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 349W Schaltenergie 870µJ (on), 260µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 119nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/92ns Testbedingung 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB (D²PAK) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 31A Leistung - max 160W Schaltenergie 450µJ (on), 6.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/650ns Testbedingung 480V, 31A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
