Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXGR50N60B2

IXGR50N60B2

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR50N60B2
PNEDA Teilenummer IXGR50N60B2
Beschreibung IGBT 600V 68A 200W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.480
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 10 - Jul 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGR50N60B2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR50N60B2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR50N60B2, IXGR50N60B2 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 511,97 KB)
PDFIXGR50N60B2D1 Datenblatt Cover
IXGR50N60B2D1 Datenblatt Seite 2 IXGR50N60B2D1 Datenblatt Seite 3 IXGR50N60B2D1 Datenblatt Seite 4 IXGR50N60B2D1 Datenblatt Seite 5 IXGR50N60B2D1 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXGR50N60B2 Datasheet
  • where to find IXGR50N60B2
  • IXYS

  • IXYS IXGR50N60B2
  • IXGR50N60B2 PDF Datasheet
  • IXGR50N60B2 Stock

  • IXGR50N60B2 Pinout
  • Datasheet IXGR50N60B2
  • IXGR50N60B2 Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXGR50N60B2 Price
  • IXGR50N60B2 Distributor

IXGR50N60B2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)68A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 40A
Leistung - max200W
Schaltenergie550µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge140nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/190ns
Testbedingung480V, 40A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRGP4266PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

450W

Schaltenergie

3.2mJ (on), 1.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

80ns/200ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IXGT30N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

125nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/130ns

Testbedingung

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

STGWT30HP65FB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

HB

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

293µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

149nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/146ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

IRG4PC40KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

620µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/140ns

Testbedingung

480V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

370A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1000A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 160A

Leistung - max

1150W

Schaltenergie

4.4mJ (on), 2.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

553nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

62ns/245ns

Testbedingung

400V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

Kürzlich verkauft

ACF451832-333-TD01

ACF451832-333-TD01

TDK

FILTER LC(T) SMD

AD8250ARMZ

AD8250ARMZ

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 10MSOP

MT29F4G01AAADDHC:D

MT29F4G01AAADDHC:D

Micron Technology Inc.

IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

NTZD3154NT1G

NTZD3154NT1G

ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563

74HCT14D,653

74HCT14D,653

Nexperia

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SO

MC68HC908GP32CFB

MC68HC908GP32CFB

NXP

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFP

JAN1N5811

JAN1N5811

Microsemi

DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

AS4C256M16D3B-12BIN

AS4C256M16D3B-12BIN

Alliance Memory, Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

BK0603HS330-T

BK0603HS330-T

Taiyo Yuden

FERRITE BEAD 33 OHM 0201 1LN

LD1085V

LD1085V

STMicroelectronics

IC REG LINEAR POS ADJ 3A TO220AB

EEU-ED2G220

EEU-ED2G220

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 22UF 20% 400V RADIAL

NDT452AP

NDT452AP

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4