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IXGT28N120B

IXGT28N120B

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT28N120B
PNEDA Teilenummer IXGT28N120B
Beschreibung IGBT 1200V 50A 250W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.068
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGT28N120B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT28N120B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT28N120B, IXGT28N120B Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 575,95 KB)
PDFIXGT28N120B Datenblatt Cover
IXGT28N120B Datenblatt Seite 2 IXGT28N120B Datenblatt Seite 3 IXGT28N120B Datenblatt Seite 4 IXGT28N120B Datenblatt Seite 5

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IXGT28N120B Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 28A
Leistung - max250W
Schaltenergie2.2mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge92nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/210ns
Testbedingung960V, 28A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

Leistung - max

340W

Schaltenergie

2.7mJ (on), 740µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/160ns

Testbedingung

400V, 50A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

53ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 42A

Leistung - max

360W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

188nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.32µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 60A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

227µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

79nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20.8ns/102ns

Testbedingung

400V, 15A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34.6ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

112A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.15mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

141nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/250ns

Testbedingung

400V, 30A, 11Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

348W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

78nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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