IXGT30N60B2
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| Teilenummer | IXGT30N60B2 |
| PNEDA Teilenummer | IXGT30N60B2 |
| Beschreibung | IGBT 600V 70A 190W TO268 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.038 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGT30N60B2 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGT30N60B2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGT30N60B2 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFAST™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 24A |
| Leistung - max | 190W |
| Schaltenergie | 320µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 66nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 13ns/110ns |
| Testbedingung | 400V, 24A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 5A Leistung - max 29.4W Schaltenergie 130µJ (on), 60µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 11nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/40ns Testbedingung 300V, 5A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 5A Leistung - max 38W Schaltenergie 80µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/116ns Testbedingung 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 40A Leistung - max 195W Schaltenergie 570µJ (on), 590µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 175nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/90ns Testbedingung 300V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 95ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ 5 IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 161A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 400A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A Leistung - max 536W Schaltenergie 850µJ (on), 770µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/421ns Testbedingung 400V, 50A, 8Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket PG-TO247-4 |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 170A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 60A Leistung - max 750W Schaltenergie 2.8mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 123nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/93ns Testbedingung 400V, 60A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXYH) |
