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IXGT30N60C2D1

IXGT30N60C2D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT30N60C2D1
PNEDA Teilenummer IXGT30N60C2D1
Beschreibung IGBT 600V 70A 190W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.514
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGT30N60C2D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT30N60C2D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT30N60C2D1, IXGT30N60C2D1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 164,24 KB)
PDFIXGT30N60C2D1 Datenblatt Cover
IXGT30N60C2D1 Datenblatt Seite 2 IXGT30N60C2D1 Datenblatt Seite 3 IXGT30N60C2D1 Datenblatt Seite 4 IXGT30N60C2D1 Datenblatt Seite 5 IXGT30N60C2D1 Datenblatt Seite 6

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IXGT30N60C2D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 24A
Leistung - max190W
Schaltenergie190µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge70nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.13ns/70ns
Testbedingung400V, 24A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

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2.35V @ 15V, 40A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

1.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

420nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/360ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

72W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

94nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

39ns/143ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

225ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 35A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/160ns

Testbedingung

960V, 35A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

220W

Schaltenergie

740µJ (on), 3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/330ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 35A

Leistung - max

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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