IXGT32N90B2D1
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| Teilenummer | IXGT32N90B2D1 |
| PNEDA Teilenummer | IXGT32N90B2D1 |
| Beschreibung | IGBT 900V 64A 300W TO268 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.520 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGT32N90B2D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGT32N90B2D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGT32N90B2D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFAST™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 900V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 64A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 32A |
| Leistung - max | 300W |
| Schaltenergie | 2.2mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 89nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/260ns |
| Testbedingung | 720V, 32A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 190ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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