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IXGT6N170

IXGT6N170

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT6N170
PNEDA Teilenummer IXGT6N170
Beschreibung IGBT 1700V 12A 75W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.676
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGT6N170 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT6N170
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT6N170, IXGT6N170 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 171,88 KB)
PDFIXGH6N170 Datenblatt Cover
IXGH6N170 Datenblatt Seite 2 IXGH6N170 Datenblatt Seite 3 IXGH6N170 Datenblatt Seite 4

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IXGT6N170 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)12A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 6A
Leistung - max75W
Schaltenergie1.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge20nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.40ns/250ns
Testbedingung1360V, 6A, 33Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 60A

Leistung - max

298W

Schaltenergie

1.81mJ (on), 810µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

188nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/130ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

47ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 100A

Leistung - max

1700W

Schaltenergie

2.7mJ (on), 3.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

585nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/250ns

Testbedingung

480V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Leistung - max

31W

Schaltenergie

90µJ (on), 450µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

45nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/93ns

Testbedingung

400V, 15A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

142ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220FP

NGTB15N120IHRWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 15A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

340µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/170ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

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Gate Charge

600nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/230ns

Testbedingung

600V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

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