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IXGX72N60B3H1

IXGX72N60B3H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGX72N60B3H1
PNEDA Teilenummer IXGX72N60B3H1
Beschreibung IGBT 600V 75A 540W PLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.012
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 13 - Mai 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXGX72N60B3H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGX72N60B3H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGX72N60B3H1, IXGX72N60B3H1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 275,23 KB)
PDFIXGK72N60B3H1 Datenblatt Cover
IXGK72N60B3H1 Datenblatt Seite 2 IXGK72N60B3H1 Datenblatt Seite 3 IXGK72N60B3H1 Datenblatt Seite 4 IXGK72N60B3H1 Datenblatt Seite 5 IXGK72N60B3H1 Datenblatt Seite 6 IXGK72N60B3H1 Datenblatt Seite 7

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IXGX72N60B3H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)450A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 60A
Leistung - max540W
Schaltenergie1.4mJ (on), 1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge225nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.31ns/152ns
Testbedingung480V, 50A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)140ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

200µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/149ns

Testbedingung

400V, 20A, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 15A

Leistung - max

259W

Schaltenergie

380µJ (on), 370µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

67nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/111ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

231ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

124A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

370µJ (on), 1.42mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

57nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/250ns

Testbedingung

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

46ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

420V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 4.5V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

29nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

650ns/13.5µs

Testbedingung

300V, 10A, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

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-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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