IXRFD630
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| Teilenummer | IXRFD630 |
| PNEDA Teilenummer | IXRFD630 |
| Beschreibung | IC MOSFET DVR RF 30A HI DCB |
| Hersteller | IXYS-RF |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.492 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXRFD630 Ressourcen
| Marke | IXYS-RF |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXRFD630 |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
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IXRFD630 Technische Daten
| Hersteller | IXYS-RF |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| Kanaltyp | Single |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Gate-Typ | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 8V ~ 18V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 3.5V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 30A, 30A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 4ns, 4ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 13A, 13A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 30ns, 32ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
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