IXSX80N60B
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| Teilenummer | IXSX80N60B |
| PNEDA Teilenummer | IXSX80N60B |
| Beschreibung | IGBT 600V 160A 500W PLUS247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.670 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXSX80N60B Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXSX80N60B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXSX80N60B Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 160A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 80A |
| Leistung - max | 500W |
| Schaltenergie | 4.2mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 240nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 60ns/140ns |
| Testbedingung | 480V, 80A, 2.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 21A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 5A Leistung - max 167W Schaltenergie 450µJ (on), 390µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/160ns Testbedingung 960V, 5A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 65ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
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