IXTJ6N150
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| Teilenummer | IXTJ6N150 |
| PNEDA Teilenummer | IXTJ6N150 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.996 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTJ6N150 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXTJ6N150 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IXTJ6N150 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.85Ohm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie UniFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.2A (Ta), 9.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-MLP (3.3x3.3) Paket / Fall 8-PowerWDFN |
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