Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXTK8N150L

IXTK8N150L

Nur als Referenz

Teilenummer IXTK8N150L
PNEDA Teilenummer IXTK8N150L
Beschreibung MOSFET N-CH 1500V 8A TO-264
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 14.760
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXTK8N150L Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTK8N150L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXTK8N150L, IXTK8N150L Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 147,61 KB)
PDFIXTX8N150L Datenblatt Cover
IXTX8N150L Datenblatt Seite 2 IXTX8N150L Datenblatt Seite 3 IXTX8N150L Datenblatt Seite 4 IXTX8N150L Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXTK8N150L Datasheet
  • where to find IXTK8N150L
  • IXYS

  • IXYS IXTK8N150L
  • IXTK8N150L PDF Datasheet
  • IXTK8N150L Stock

  • IXTK8N150L Pinout
  • Datasheet IXTK8N150L
  • IXTK8N150L Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXTK8N150L Price
  • IXTK8N150L Distributor

IXTK8N150L Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6Ohm @ 4A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250nC @ 15V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds8000pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)700W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-264 (IXTK)
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPI47N10S33AKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

47A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

175W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

NTMFS4897NFT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Ta), 171A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

83.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5660pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

950mW (Ta), 96.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

IXTP460P2

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarP2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2890pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

480W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IPN60R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1Ohm @ 800mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 60µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 100V

FET-Funktion

Super Junction

Verlustleistung (max.)

5W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223

Paket / Fall

SOT-223-3

IRFL110PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 3.1W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Kürzlich verkauft

MAX333AEWP

MAX333AEWP

Maxim Integrated

IC SWITCH QUAD SPDT 20SOIC

FM25V02A-DG

FM25V02A-DG

Cypress Semiconductor

IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN

MIC49150WR

MIC49150WR

Microchip Technology

IC REG LIN POS ADJ 1.5A SPAK-5

LQH43CN100K03L

LQH43CN100K03L

Murata

FIXED IND 10UH 650MA 240 MOHM

ADR421ARZ

ADR421ARZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

BC817-16,215

BC817-16,215

Nexperia

TRANS NPN 45V 0.5A SOT23

MCP42050-E/SL

MCP42050-E/SL

Microchip Technology

IC DGTL POT 50KOHM 256TAP 14SOIC

PIC16F1509-I/SS

PIC16F1509-I/SS

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 20SSOP

74HCT14D

74HCT14D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SOIC

LC4256V-75T176C

LC4256V-75T176C

Lattice Semiconductor Corporation

IC CPLD 256MC 7.5NS 176TQFP

74HC14DR2G

74HC14DR2G

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SOIC

S29JL064J60TFI003

S29JL064J60TFI003

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP