Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXTN120P20T

IXTN120P20T

Nur als Referenz

Teilenummer IXTN120P20T
PNEDA Teilenummer IXTN120P20T
Beschreibung MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.642
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 7 - Jun 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXTN120P20T Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTN120P20T
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXTN120P20T, IXTN120P20T Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 182,26 KB)
PDFIXTN120P20T Datenblatt Cover
IXTN120P20T Datenblatt Seite 2 IXTN120P20T Datenblatt Seite 3 IXTN120P20T Datenblatt Seite 4 IXTN120P20T Datenblatt Seite 5 IXTN120P20T Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXTN120P20T Datasheet
  • where to find IXTN120P20T
  • IXYS

  • IXYS IXTN120P20T
  • IXTN120P20T PDF Datasheet
  • IXTN120P20T Stock

  • IXTN120P20T Pinout
  • Datasheet IXTN120P20T
  • IXTN120P20T Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXTN120P20T Price
  • IXTN120P20T Distributor

IXTN120P20T Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieTrenchP™
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.106A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs740nC @ 10V
Vgs (Max)±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds73000pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)830W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
LieferantengerätepaketSOT-227B
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPI50CN10NGHKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1090pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

44W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

ZXM62P03E6TC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 800mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

625mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-26

Paket / Fall

SOT-23-6

SIE844DF-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

44.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 12.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2150pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.2W (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

10-PolarPAK® (U)

Paket / Fall

10-PolarPAK® (U)

SIHB16N50C-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

2SK303000L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta), 15W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

U-G1

Paket / Fall

U-G1

Kürzlich verkauft

EN6360QI

EN6360QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-5.8V 46W

MF-R090

MF-R090

Bourns

PTC RESET FUSE 60V 900MA RADIAL

F951E106MAAAQ2

F951E106MAAAQ2

CAP TANT 10UF 20% 25V 1206

PIC32MX795F512L-80I/PT

PIC32MX795F512L-80I/PT

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100TQFP

MT41K512M16HA-107:A

MT41K512M16HA-107:A

Micron Technology Inc.

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

MMIX4B22N300

MMIX4B22N300

IXYS

TRANS BIPOLAR 3000V 38A MOSFET

IHLP1212BZER1R5M11

IHLP1212BZER1R5M11

Vishay Dale

FIXED IND 1.5UH 3.8A 32 MOHM SMD

NL453232T-102J-PF

NL453232T-102J-PF

TDK

FIXED IND 1MH 30MA 40 OHM SMD

ARF444

ARF444

Microsemi

PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD

ADM2587EBRWZ

ADM2587EBRWZ

Analog Devices

DGTL ISO RS422/RS485 20SOIC

6TPE330MIL

6TPE330MIL

Panasonic Electronic Components

CAP TANT POLY 330UF 6.3V 2917

HCPL-0631-500E

HCPL-0631-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH OPEN COLL 8SO