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IXTN550N055T2

IXTN550N055T2

Nur als Referenz

Teilenummer IXTN550N055T2
PNEDA Teilenummer IXTN550N055T2
Beschreibung MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.042
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXTN550N055T2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXTN550N055T2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXTN550N055T2, IXTN550N055T2 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 178,44 KB)
PDFIXTN550N055T2 Datenblatt Cover
IXTN550N055T2 Datenblatt Seite 2 IXTN550N055T2 Datenblatt Seite 3 IXTN550N055T2 Datenblatt Seite 4 IXTN550N055T2 Datenblatt Seite 5 IXTN550N055T2 Datenblatt Seite 6

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IXTN550N055T2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGigaMOS™, TrenchT2™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.550A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs595nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds40000pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)940W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
LieferantengerätepaketSOT-227B
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

74W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 5.9A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

690mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1370pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

63W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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ISOWATT218FX

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

28W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 43A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

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Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

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