IXTU1R4N60P
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| Teilenummer | IXTU1R4N60P |
| PNEDA Teilenummer | IXTU1R4N60P |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.050 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 27 - Jul 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXTU1R4N60P Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXTU1R4N60P |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXTU1R4N60P Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | PolarHV™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 700mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 50W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-251 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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