IXXH30N60C3D1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXXH30N60C3D1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXXH30N60C3D1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 600V 60A 270W TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 4.662 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IXXH30N60C3D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXXH30N60C3D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXXH30N60C3D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 110A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 24A |
| Leistung - max | 270W |
| Schaltenergie | 500µJ (on), 270µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 37nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 23ns/77ns |
| Testbedingung | 400V, 24A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 (IXXH) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie 160µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/78ns Testbedingung 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 180A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 8A Leistung - max 38W Schaltenergie 140µJ (on), 2.58mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/630ns Testbedingung 480V, 8A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 24A Leistung - max 214W Schaltenergie 915µJ (on), 280µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/75ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 176ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
