IXXH80N65B4H1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXXH80N65B4H1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXXH80N65B4H1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 650V 160A 625W TO247AD | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 5.499 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 8 - Mai 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IXXH80N65B4H1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXXH80N65B4H1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXXH80N65B4H1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX4™, XPT™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 160A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 430A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Leistung - max | 625W |
| Schaltenergie | 3.77mJ (on), 1.2mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 120nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 38ns/120ns |
| Testbedingung | 400V, 80A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 (IXXH) |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 10A Leistung - max 100W Schaltenergie 2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 52nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 100ns/550ns Testbedingung 800V, 10A, 150Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 20A Leistung - max 164W Schaltenergie 295µJ (on), 500µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 91nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/151ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A Leistung - max 150W Schaltenergie 590µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 64nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 14ns/192ns Testbedingung 400V, 10A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 62ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket PG-TO251-3 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 40A Leistung - max 200W Schaltenergie 850µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 116nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/100ns Testbedingung 480V, 40A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 3.5ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 57A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 42A Leistung - max 200W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 188nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.32µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
