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IXYA20N65C3

IXYA20N65C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXYA20N65C3
PNEDA Teilenummer IXYA20N65C3
Beschreibung IGBT
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.906
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXYA20N65C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYA20N65C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYA20N65C3, IXYA20N65C3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 250,05 KB)
PDFIXYH20N65C3 Datenblatt Cover
IXYH20N65C3 Datenblatt Seite 2 IXYH20N65C3 Datenblatt Seite 3 IXYH20N65C3 Datenblatt Seite 4 IXYH20N65C3 Datenblatt Seite 5 IXYH20N65C3 Datenblatt Seite 6

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IXYA20N65C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieXPT™, GenX3™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)105A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 20A
Leistung - max230W
Schaltenergie430µJ (on), 650µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge30nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.19ns/80ns
Testbedingung400V, 20A, 20Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)34ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AA

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 3A

Leistung - max

49W

Schaltenergie

50µJ (on), 27µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

17nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/59ns

Testbedingung

300V, 3A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

550A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 100A

Leistung - max

2300W

Schaltenergie

3.45mJ (on), 2.86mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

460nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/190ns

Testbedingung

400V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXXK)

STGP3HF60HD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.95V @ 15V, 1.5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

19µJ (on), 12µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/60ns

Testbedingung

400V, 1.5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

IRGS6B60KTRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

26A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

Leistung - max

90W

Schaltenergie

110µJ (on), 135µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/215ns

Testbedingung

400V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 40A

Leistung - max

305W

Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

400V, 40A, 5.6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

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