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IXYH25N250CHV

IXYH25N250CHV

Nur als Referenz

Teilenummer IXYH25N250CHV
PNEDA Teilenummer IXYH25N250CHV
Beschreibung IGBT 2500V 235A TO-247HV
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.310
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXYH25N250CHV Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYH25N250CHV
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYH25N250CHV, IXYH25N250CHV Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 273,64 KB)
PDFIXYH25N250CHV Datenblatt Cover
IXYH25N250CHV Datenblatt Seite 2 IXYH25N250CHV Datenblatt Seite 3 IXYH25N250CHV Datenblatt Seite 4 IXYH25N250CHV Datenblatt Seite 5 IXYH25N250CHV Datenblatt Seite 6

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IXYH25N250CHV Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieXPT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)2500V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)95A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)235A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 25A
Leistung - max937W
Schaltenergie8.3mJ (on), 7.3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge147nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.15ns/230ns
Testbedingung1250V, 25A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)34ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247HV (IXYH)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.97V @ 15V, 100A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

NGTB15N120IHWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 15A

Leistung - max

278W

Schaltenergie

360µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/130ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

APT50GS60BRDQ2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

93A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

195A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 50A

Leistung - max

415W

Schaltenergie

755µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

235nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/225ns

Testbedingung

400V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IRGP6640D-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

53A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 24A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

90µJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/100ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.77V @ 15V, 24A

Leistung - max

217W

Schaltenergie

532µJ (on), 311µJ (off)

Eingabetyp

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Gate Charge

77nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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400V, 24A, 10Ohm, 15V

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