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IXYH75N120B4

IXYH75N120B4

Nur als Referenz

Teilenummer IXYH75N120B4
PNEDA Teilenummer IXYH75N120B4
Beschreibung IGBT
Hersteller IXYS
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXYH75N120B4 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYH75N120B4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYH75N120B4, IXYH75N120B4 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 163,07 KB)
PDFIXYH75N120B4 Datenblatt Cover
IXYH75N120B4 Datenblatt Seite 2 IXYH75N120B4 Datenblatt Seite 3 IXYH75N120B4 Datenblatt Seite 4 IXYH75N120B4 Datenblatt Seite 5 IXYH75N120B4 Datenblatt Seite 6

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IXYH75N120B4 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieXPT™, GenX4™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)240A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)440A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 75A
Leistung - max1150W
Schaltenergie4.5mJ (on), 2.7mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge157nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.22ns/182ns
Testbedingung600V, 50A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)66ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

168W

Schaltenergie

77µJ (on), 170µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/139ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

IRGR4045DTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Leistung - max

77W

Schaltenergie

56µJ (on), 122µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/75ns

Testbedingung

400V, 6A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

74ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

IGC18T120T8QX1SA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.42V @ 15V, 15A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

STGB20N45LZAG

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

450V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

26nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

1.1µs/4.6µs

Testbedingung

300V, 10A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK

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Hersteller

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

463W

Schaltenergie

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Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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