IXYH75N65C3H1
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| Teilenummer | IXYH75N65C3H1 |
| PNEDA Teilenummer | IXYH75N65C3H1 |
| Beschreibung | IGBT 650V 170A 750W TO247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.446 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXYH75N65C3H1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYH75N65C3H1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXYH75N65C3H1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 170A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 360A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 750W |
| Schaltenergie | 2.8mJ (on), 1mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 123nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 27ns/93ns |
| Testbedingung | 400V, 60A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 (IXYH) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A Leistung - max 298W Schaltenergie 320µJ (on), 800µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/165ns Testbedingung 960V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB |
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