IXYP10N65C3D1M
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXYP10N65C3D1M |
| PNEDA Teilenummer | IXYP10N65C3D1M |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.320 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 31 - Jun 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXYP10N65C3D1M Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYP10N65C3D1M |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXYP10N65C3D1M Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | XPT™, GenX3™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 15A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 50A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 53W |
| Schaltenergie | 240µJ (on), 170µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 18nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/77ns |
| Testbedingung | 400V, 10A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 26ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 Isolated Tab |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 40A Leistung - max 500W Schaltenergie 2.55mJ (on), 1.55mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 285nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/315ns Testbedingung 600V, 40A, 9Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 400ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3-41 |
