IXYP20N65C3D1
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| Teilenummer | IXYP20N65C3D1 |
| PNEDA Teilenummer | IXYP20N65C3D1 |
| Beschreibung | IGBT 650V 18A 50W TO220 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.796 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 13 - Jun 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXYP20N65C3D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYP20N65C3D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXYP20N65C3D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 105A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 200W |
| Schaltenergie | 430µJ (on), 350µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 30nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 19ns/80ns |
| Testbedingung | 400V, 20A, 20Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 135ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 50A Leistung - max 300W Schaltenergie 3.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 167nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 70ns/150ns Testbedingung 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264AA(IXSK) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A Leistung - max 223W Schaltenergie 1.1mJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 310nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 116ns/292ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 85ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 112A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A Leistung - max 250W Schaltenergie 1.29mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/291ns Testbedingung 400V, 30A, 11Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1250V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 250W Schaltenergie 740µJ (on), 500µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 153nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 10ns/400ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
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