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IXYP20N65C3D1

IXYP20N65C3D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXYP20N65C3D1
PNEDA Teilenummer IXYP20N65C3D1
Beschreibung IGBT 650V 18A 50W TO220
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.796
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXYP20N65C3D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYP20N65C3D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYP20N65C3D1, IXYP20N65C3D1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 242,63 KB)
PDFIXYA20N65C3D1 Datenblatt Cover
IXYA20N65C3D1 Datenblatt Seite 2 IXYA20N65C3D1 Datenblatt Seite 3 IXYA20N65C3D1 Datenblatt Seite 4 IXYA20N65C3D1 Datenblatt Seite 5 IXYA20N65C3D1 Datenblatt Seite 6 IXYA20N65C3D1 Datenblatt Seite 7

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IXYP20N65C3D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)105A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 20A
Leistung - max200W
Schaltenergie430µJ (on), 350µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge30nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.19ns/80ns
Testbedingung400V, 20A, 20Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)135ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

740µJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

153nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/400ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

430µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

17nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/180ns

Testbedingung

480V, 10A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRG4BC30WPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

130µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/99ns

Testbedingung

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 15A

Leistung - max

259W

Schaltenergie

550µJ (on), 850µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/122ns

Testbedingung

600V, 15A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

270ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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50ns

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

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