J109
Nur als Referenz
| Teilenummer | J109 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | J109 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 25V 625MW TO92 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 309.197 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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J109 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | J109 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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J109 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 25V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 40mA @ 15V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 2V @ 10nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Widerstand - RDS (Ein) | 12 Ohms |
| Leistung - max | 625mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 22V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 12mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 0V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 150mW Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket 3-MPAK |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 35V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 5V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein) 50 Ohms Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 100mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 6V @ 500pA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) 40 Ohms Leistung - max 360mW Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-18 (TO-206AA) |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 500mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein) 100 Ohms Leistung - max - Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
