JANS1N5806US
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| Teilenummer | JANS1N5806US |
| PNEDA Teilenummer | JANS1N5806US |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 150V 1A D5A |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 17.166 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 6 - Jul 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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JANS1N5806US Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANS1N5806US |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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JANS1N5806US Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 150V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1µA @ 150V |
| Kapazität @ Vr, F. | 25pF @ 10V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SQ-MELF, A |
| Lieferantengerätepaket | D-5A |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 275A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 15mA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-205AB, DO-9, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AB, DO-9 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 190°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 35V Current - Average Rectified (Io) 150A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 150A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 3mA @ 35V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-67 Lieferantengerätepaket D-67 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, BAS16 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 250mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 150mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 4ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 80V Kapazität @ Vr, F. 1.5pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 35V Current - Average Rectified (Io) 7.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 840mV @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 35V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 220V Current - Average Rectified (Io) 200mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 200mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 220V Kapazität @ Vr, F. 3pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Lieferantengerätepaket LLDS Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
