JANTX1N3595-1
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| Teilenummer | JANTX1N3595-1 |
| PNEDA Teilenummer | JANTX1N3595-1 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.328 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 16 - Mai 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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JANTX1N3595-1 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTX1N3595-1 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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JANTX1N3595-1 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/241 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 125V |
| Current - Average Rectified (Io) | 150mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 100mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1nA @ 125V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-35 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 1A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 470mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 2-XDFN Lieferantengerätepaket 2-DSN (1.4x0.6) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 250mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 250mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 5.9ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 9µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 39pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-90, SOD-323F Lieferantengerätepaket SOD-323F Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 80A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 80A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 480ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Semtech Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 3.3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 875mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 25pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket Axial Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 4A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2.5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 30pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
