JANTX2N6650
Nur als Referenz
| Teilenummer | JANTX2N6650 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | JANTX2N6650 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | TRANS PNP DARL 80V 10A TO-3 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 1.834 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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JANTX2N6650 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTX2N6650 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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JANTX2N6650 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/527 |
| Transistortyp | PNP - Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 10A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 80V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 100µA, 10A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 3V |
| Leistung - max | 5W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-204AA, TO-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-204AA (TO-3) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V Leistung - max 310mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
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