JANTXV1N3070UR-1
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| Teilenummer | JANTXV1N3070UR-1 |
| PNEDA Teilenummer | JANTXV1N3070UR-1 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.060 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 31 - Jun 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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JANTXV1N3070UR-1 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTXV1N3070UR-1 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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JANTXV1N3070UR-1 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/169 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 175V |
| Current - Average Rectified (Io) | 100mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100nA @ 175V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-204AA, DO-7, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-7 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 90V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 920mV @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 90V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB (D²PAK) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller SMC Diode Solutions Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 10A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 40µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. 520pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller AVX Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 500mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 480mV @ 500mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 1206 (3216 Metric) Lieferantengerätepaket 1206 (3216 Metric) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 250V Current - Average Rectified (Io) 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 100mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 250V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-90, SOD-323F Lieferantengerätepaket UMD2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
