JANTXV1N6625US
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| Teilenummer | JANTXV1N6625US |
| PNEDA Teilenummer | JANTXV1N6625US |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.776 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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JANTXV1N6625US Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTXV1N6625US |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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JANTXV1N6625US Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/585 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1µA @ 1100V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SQ-MELF, A |
| Lieferantengerätepaket | D-5A |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 90V Current - Average Rectified (Io) 1.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 90V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket DO-214AC (SMA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 500ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 5pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SC-70 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 900mV @ 6A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall R6, Axial Lieferantengerätepaket R-6 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 45pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Cree/Wolfspeed Serie Zero Recovery™ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 17.5A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 5A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. 455pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
