KSD1408GTU
Nur als Referenz
| Teilenummer | KSD1408GTU |
| PNEDA Teilenummer | KSD1408GTU |
| Beschreibung | TRANS NPN 80V 4A TO-220F |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.984 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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KSD1408GTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | KSD1408GTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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KSD1408GTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 4A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 80V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 300mA, 3A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 30µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 500mA, 5V |
| Leistung - max | 25W |
| Frequenz - Übergang | 8MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220F |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V Leistung - max 310mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
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