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L6384E

L6384E

Nur als Referenz

Teilenummer L6384E
PNEDA Teilenummer L6384E
Beschreibung IC DRVR HALF BRIDGE HV 8-DIP
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 7.506
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

L6384E Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerL6384E
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
L6384E, L6384E Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 331,46 KB)
PDFL6384E Datenblatt Cover
L6384E Datenblatt Seite 2 L6384E Datenblatt Seite 3 L6384E Datenblatt Seite 4 L6384E Datenblatt Seite 5 L6384E Datenblatt Seite 6 L6384E Datenblatt Seite 7 L6384E Datenblatt Seite 8 L6384E Datenblatt Seite 9 L6384E Datenblatt Seite 10 L6384E Datenblatt Seite 11

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L6384E Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypIGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung14.6V ~ 16.6V
Logikspannung - VIL, VIH1.5V, 3.6V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)400mA, 650mA
EingabetypInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)50ns, 30ns
Betriebstemperatur-45°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-DIP

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

3.3V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

6V, 9.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 17ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

14-DIP

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge, Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

0.7V, 2.65V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

100mA, 100mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

12ns, 6ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

31-PowerWFQFN

Lieferantengerätepaket

31-PQFN (5x5)

TD310ID

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

3

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 16V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SO

IR2135JTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

250mA, 500mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

90ns, 40ns

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-LCC (J-Lead), 32 Leads

Lieferantengerätepaket

44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)

LTC1982ES6#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

Hersteller

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

0.6V, 1.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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