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LE25S81AFDTWG

LE25S81AFDTWG

Nur als Referenz

Teilenummer LE25S81AFDTWG
PNEDA Teilenummer LE25S81AFDTWG
Beschreibung IC FLASH 8M SPI 70MHZ 8SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.412
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 3 - Jun 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

LE25S81AFDTWG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLE25S81AFDTWG
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
LE25S81AFDTWG, LE25S81AFDTWG Datenblatt (Total Pages: 51, Größe: 630,81 KB)
PDFLE25S81AFDTWG Datenblatt Cover
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LE25S81AFDTWG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße8Mb (1M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz70MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite500µs
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.65V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 90°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-VSOIC

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Hersteller

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

1Tb (128G x 8)

Speicherschnittstelle

UFS

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

153-VFBGA

Lieferantengerätepaket

153-VFBGA (11.5x13)

DS1225AD-200IND

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

200ns

Zugriffszeit

200ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

150MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6.7ns

Zugriffszeit

3.8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

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IDT71256SA25Y8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

28-SOJ

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