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M25P10-AVMN6P

M25P10-AVMN6P M25P10-AVMN6P

Nur als Referenz

Teilenummer M25P10-AVMN6P
PNEDA Teilenummer M25P10-AVMN6P
Hersteller Micron Technology Inc.
Beschreibung IC FLASH 1M SPI 50MHZ 8SO
Stückpreis
  • 1$ 0,0000
  • 100$ 0,0000
  • 500$ 0,0000
  • 1000$ 0,0000
  • 2500$ 0,0000
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M25P10-AVMN6P Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
Mfr. ArtikelnummerM25P10-AVMN6P
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
M25P10-AVMN6P, M25P10-AVMN6P Datenblatt (Total Pages: 51, Größe: 1.103,38 KB)
PDFM25P10-AVMP6TG TR Datenblatt Cover
M25P10-AVMP6TG TR Datenblatt Seite 2 M25P10-AVMP6TG TR Datenblatt Seite 3 M25P10-AVMP6TG TR Datenblatt Seite 4 M25P10-AVMP6TG TR Datenblatt Seite 5 M25P10-AVMP6TG TR Datenblatt Seite 6 M25P10-AVMP6TG TR Datenblatt Seite 7 M25P10-AVMP6TG TR Datenblatt Seite 8 M25P10-AVMP6TG TR Datenblatt Seite 9 M25P10-AVMP6TG TR Datenblatt Seite 10 M25P10-AVMP6TG TR Datenblatt Seite 11

M25P10-AVMN6P Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße1Mb (128K x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz50MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ms, 5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

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Hersteller

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

DRAM

Speichergröße

576Mb (64M x 9)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CY7C1480V33-200AXC

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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