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M29F800FT55N3F2 TR

M29F800FT55N3F2 TR

Nur als Referenz

Teilenummer M29F800FT55N3F2 TR
PNEDA Teilenummer M29F800FT55N3F2-TR
Beschreibung IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP
Hersteller Micron Technology Inc.
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M29F800FT55N3F2 TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerM29F800FT55N3F2 TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
M29F800FT55N3F2 TR, M29F800FT55N3F2 TR Datenblatt (Total Pages: 56, Größe: 679,14 KB)
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M29F800FT55N3F2 TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße8Mb (1M x 8, 512K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket48-TSOP

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-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2.8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.1ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SO

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SkyHigh Memory Limited

Hersteller

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Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

13.75ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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