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MBR300100CTR

MBR300100CTR

Nur als Referenz

Teilenummer MBR300100CTR
PNEDA Teilenummer MBR300100CTR
Beschreibung DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 8.550
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 14 - Jul 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MBR300100CTR Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBR300100CTR
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MBR300100CTR, MBR300100CTR Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 711,92 KB)
PDFMBR300100CT Datenblatt Cover
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MBR300100CTR Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Anode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)300A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If840mV @ 150A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr8mA @ 20V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTwin Tower
LieferantengerätepaketTwin Tower

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

700µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

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TO-220AB

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

70A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.48V @ 200A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 1200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

MBR20100PTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (TO-3P)

VS-15CTQ040-1-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

7.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 7.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

800µA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

TO-262AA

BAS16HTWQ-13R

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodenkonfiguration

3 Independent

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 80V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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SOT-363

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