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MBR40035CTRL

MBR40035CTRL

Nur als Referenz

Teilenummer MBR40035CTRL
PNEDA Teilenummer MBR40035CTRL
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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MBR40035CTRL Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBR40035CTRL
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MBR40035CTRL, MBR40035CTRL Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 502,29 KB)
PDFMBR40035CTRL Datenblatt Cover
MBR40035CTRL Datenblatt Seite 2 MBR40035CTRL Datenblatt Seite 3

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MBR40035CTRL Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Anode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)35V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)200A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If600mV @ 200A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr3mA @ 35V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTwin Tower
LieferantengerätepaketTwin Tower

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

70V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

70mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 15mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

100ps

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 50V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

SBRD81035CTLG-VF01

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

470mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2mA @ 35V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

FEP30JP-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

MBR2X080A100

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

160A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 80A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

MF10H100CTHE3_A/P

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3.5µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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