MBR600150CTR
Nur als Referenz
| Teilenummer | MBR600150CTR |
| PNEDA Teilenummer | MBR600150CTR |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.444 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 13 - Jun 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MBR600150CTR Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MBR600150CTR |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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MBR600150CTR Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 150V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 300A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 300A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 3mA @ 150V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Twin Tower |
| Lieferantengerätepaket | Twin Tower |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Diodenkonfiguration 1 Pair Series Connection Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 80V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 4ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 200nA @ 70V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-85 Lieferantengerätepaket UMD3F |
